2SK3666-3-TB-E
制造廠商:安森美半導體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:晶體管 - JFET,封裝:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
技術(shù)參數(shù):JFET N-CH 10MA 200MW 3CP
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參數(shù)詳情:
制造商產(chǎn)品型號:2SK3666-3-TB-E制造商:ON Semiconductor(安森美半導體)描述:JFET N-CH 10MA 200MW 3CP系列:晶體管 - JFET零件狀態(tài):有源FET類型:N 通道電壓-擊穿(V(BR)GSS):-漏源電壓(Vdss):30V不同Vds(Vgs=0)時電流-漏極(Idss):1.2mA @ 10V漏極電流(Id)-最大值:10mA不同Id時電壓-截止(VGSoff):180mV @ 1μA不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):4pF @ 10V電阻-RDS(On):200 Ohms功率-最大值:200mW工作溫度:150°C(TJ)安裝類型:表面貼裝型封裝:TO-236-3,SC-59,SOT-23-32SK3666-3-TB-E的訂貨細節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量,歡迎跟我們的銷售代表確認。
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