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      產(chǎn)品參考圖片
      

      BS108G參考圖片
      

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      BS108G
      

    4. 制造廠商：安森美半導(dǎo)體（英文名：ONSEMI）
      5. 

    5. 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個，器件封裝：TO-92-3
      6. 

    6. 技術(shù)參數(shù)：MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3
      7. 

    7. （專注銷售安森美電子元器件，承諾原裝！現(xiàn)貨當(dāng)天發(fā)貨！）
      8. 

    8. （您可通過電話、微信、QQ或郵件與銷售代表聯(lián)系詢價及采購）
      9. 

      參數(shù)詳情：
      

    9. 制造商產(chǎn)品型號：BS108G
    10. 制造商：ON Semiconductor（安森美半導(dǎo)體）
    11. 描述：MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3
    12. 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
    13. 產(chǎn)品系列：-
    14. 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
    15. FET類型：N 通道
    16. 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
    17. 漏源電壓（Vdss）：200V
    18. 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：250mA（Ta）
    19. 驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：2V，2.8V
    20. 不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：8 歐姆 @ 100mA，2.8V
    21. 不同Id時Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 1mA
    22. 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：-
    23. Vgs（最大值）：±20V
    24. 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：150pF @ 25V
    25. FET功能：-
    26. 功率耗散（最大值）：350mW（Ta）
    27. 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
    28. 安裝類型：通孔
    29. 器件封裝：TO-92-3
    30. BS108G的訂貨細(xì)節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量，歡迎跟我們的銷售代表確認(rèn)。
      31. 

      

      

      

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      BS108G的技術(shù)資料下載
      

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