BSS123-G
制造廠商：安森美半導體（英文名：ONSEMI）
類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個，器件封裝：SOT-23-3
技術參數(shù)：FET 100V 6.0 MOHM SOT23
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參數(shù)詳情：
制造商產(chǎn)品型號：BSS123-G制造商：ON Semiconductor（安森美半導體）描述：FET 100V 6.0 MOHM SOT23系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個產(chǎn)品系列：-零件狀態(tài)：有源FET類型：N 通道技術：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：100V25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：170mA（Ta）驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：6 歐姆 @ 170mA，10V不同Id時Vgs(th)（最大值）：2V @ 34μA不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：2.5nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：73pF @ 25VFET功能：-功率耗散（最大值）：360mW（Ta）工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型器件封裝：SOT-23-3BSS123-G的訂貨細節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量，歡迎跟我們的銷售代表確認。
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