FCD4N60TF
制造廠商：安森美半導體（英文名：ONSEMI）
類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個，器件封裝：D-Pak
技術參數：MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
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參數詳情：
制造商產品型號：FCD4N60TF制造商：ON Semiconductor（安森美半導體）描述：MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個產品系列：SuperFET?零件狀態(tài)：停產FET類型：N 通道技術：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：600V25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：3.9A（Tc）驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：1.2 歐姆 @ 2A，10V不同Id時Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：16.6nC @ 10VVgs（最大值）：±30V不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：540pF @ 25VFET功能：-功率耗散（最大值）：50W（Tc）工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型器件封裝：D-PakFCD4N60TF的訂貨細節(jié)及現貨數量，歡迎跟我們的銷售代表確認。
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