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      FDB86102LZ
      

    • 制造廠商：安森美半導體（英文名：ONSEMI）
      • 

    • 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個，器件封裝：TO-263AB
      • 

    • 技術(shù)參數(shù)：MOSFET N-CH 100V 8.3A/30A TO263
      • 

    • （專注銷售安森美電子元器件，承諾原裝！現(xiàn)貨當天發(fā)貨！）
      • 

    • （您可通過電話、微信、QQ或郵件與銷售代表聯(lián)系詢價及采購）
      • 

      參數(shù)詳情：
      

    • 制造商產(chǎn)品型號：FDB86102LZ
    • 制造商：ON Semiconductor（安森美半導體）
    • 描述：MOSFET N-CH 100V 8.3A/30A TO263
    • 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
    • 產(chǎn)品系列：PowerTrench?
    • 零件狀態(tài)：有源
    • FET類型：N 通道
    • 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
    • 漏源電壓（Vdss）：100V
    • 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：8.3A（Ta），30A（Tc）
    • 驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
    • 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：24 毫歐 @ 8.3A，10V
    • 不同Id時Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA
    • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：21nC @ 10V
    • Vgs（最大值）：±20V
    • 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：1275pF @ 50V
    • FET功能：-
    • 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta）
    • 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
    • 安裝類型：表面貼裝型
    • 器件封裝：TO-263AB
    • FDB86102LZ的訂貨細節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量，歡迎跟我們的銷售代表確認。
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