FDC6506P
制造廠商：安森美半導(dǎo)體（英文名：ONSEMI）
類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6
技術(shù)參數(shù)：MOSFET 2P-CH 30V 1.8A SSOT6
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參數(shù)詳情：
制造商產(chǎn)品型號：FDC6506P制造商：ON Semiconductor（安森美半導(dǎo)體）描述：MOSFET 2P-CH 30V 1.8A SSOT6系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列產(chǎn)品系列：PowerTrench?零件狀態(tài)：停產(chǎn)FET類型：2 個(gè) P 溝道（雙）FET功能：邏輯電平門漏源電壓（Vdss）：30V25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：1.8A不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：170 毫歐 @ 1.8A，10V不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：3.5nC @ 10V不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：190pF @ 15V功率-最大值：700mW工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型封裝：SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6FDC6506P的訂貨細(xì)節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量，歡迎跟我們的銷售代表確認(rèn)。
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