FDD3510H
制造廠商：安森美半導(dǎo)體（英文名：ONSEMI）
類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：TO-252-5，DPak（4 引線 + 接片），TO-252AD
技術(shù)參數(shù)：MOSFET N/P-CH 80V 4.3/2.8A TO252
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參數(shù)詳情：
制造商產(chǎn)品型號：FDD3510H制造商：ON Semiconductor（安森美半導(dǎo)體）描述：MOSFET N/P-CH 80V 4.3/2.8A TO252系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列產(chǎn)品系列：PowerTrench?零件狀態(tài)：有源FET類型：N 和 P 溝道，共漏FET功能：邏輯電平門漏源電壓（Vdss）：80V25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：4.3A，2.8A不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：80 毫歐 @ 4.3A，10V不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：18nC @ 10V不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：800pF @ 40V功率-最大值：1.3W工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型封裝：TO-252-5，DPak（4 引線 + 接片），TO-252ADFDD3510H的訂貨細(xì)節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量，歡迎跟我們的銷售代表確認(rèn)。
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