FDD86102LZ
制造廠商：安森美半導體（英文名：ONSEMI）
類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個，器件封裝：D-PAK（TO-252）
技術參數：MOSFET N-CH 100V 8A/35A DPAK
（專注銷售安森美電子元器件，承諾原裝！現貨當天發(fā)貨！）
（您可通過電話、微信、QQ或郵件與銷售代表聯(lián)系詢價及采購）
參數詳情：
制造商產品型號：FDD86102LZ制造商：ON Semiconductor（安森美半導體）描述：MOSFET N-CH 100V 8A/35A DPAK系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個產品系列：PowerTrench?零件狀態(tài)：有源FET類型：N 通道技術：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：100V25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：8A（Ta），35A（Tc）驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：22.5 毫歐 @ 8A，10V不同Id時Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：26nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：1540pF @ 50VFET功能：-功率耗散（最大值）：3.1W（Ta），54W（Tc）工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型器件封裝：D-PAK（TO-252）FDD86102LZ的訂貨細節(jié)及現貨數量，歡迎跟我們的銷售代表確認。
国产一级a毛一级a看免费视奥美
|
日本午夜精品理论片A级app发布
|
国产精品久久久久永久免费观看
|
欧美猛少妇色xxxx久久久久
|
三级片视频在线观看
|
