FDFMA2N028Z
制造廠商：安森美半導體（英文名：ONSEMI）
類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個，器件封裝：6-MicroFET（2x2）
技術參數(shù)：MOSFET N-CH 20V 3.7A 6MICROFET
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參數(shù)詳情：
制造商產(chǎn)品型號：FDFMA2N028Z制造商：ON Semiconductor（安森美半導體）描述：MOSFET N-CH 20V 3.7A 6MICROFET系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個產(chǎn)品系列：PowerTrench?零件狀態(tài)：有源FET類型：N 通道技術：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：20V25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：3.7A（Ta）驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，4.5V不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：68 毫歐 @ 3.7A，4.5V不同Id時Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：6nC @ 4.5VVgs（最大值）：±12V不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：455pF @ 10VFET功能：肖特基二極管（隔離式）功率耗散（最大值）：1.4W（Tj）工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型器件封裝：6-MicroFET（2x2）FDFMA2N028Z的訂貨細節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量，歡迎跟我們的銷售代表確認。
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