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      FDG6332C-F085P
      

    4. 制造廠商：安森美半導(dǎo)體（英文名：ONSEMI）
      5. 

    5. 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
      6. 

    6. 技術(shù)參數(shù)：DUAL NP MOS SC70-6 20V
      7. 

    7. （專注銷售安森美電子元器件，承諾原裝！現(xiàn)貨當(dāng)天發(fā)貨�。�
      8. 

    8. （您可通過(guò)電話、微信、QQ或郵件與銷售代表聯(lián)系詢價(jià)及采購(gòu)）
      9. 

      參數(shù)詳情：
      

    9. 制造商產(chǎn)品型號(hào)：FDG6332C-F085P
    10. 制造商：ON Semiconductor（安森美半導(dǎo)體）
    11. 描述：DUAL NP MOS SC70-6 20V
    12. 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
    13. 產(chǎn)品系列：Automotive, AEC-Q101
    14. 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
    15. FET類型：N 和 P 溝道
    16. FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
    17. 漏源電壓（Vdss）：20V
    18. 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：700mA（Ta），600mA（Ta）
    19. 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：300 毫歐 @ 700mA，4.5V，420 毫歐 @ 600mA，4.5V
    20. 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA
    21. 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：1.5nC @ 4.5V，2nC @ 4.5V
    22. 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：113pF @ 10V，114pF @ 10V
    23. 功率-最大值：300mW（Ta）
    24. 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
    25. 安裝類型：表面貼裝型
    26. 封裝：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
    27. FDG6332C-F085P的訂貨細(xì)節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量，歡迎跟我們的銷售代表確認(rèn)。
      28. 

      

      

      

      點(diǎn)擊下圖下載技術(shù)文檔
      

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