FDMD8900
制造廠商:安森美半導(dǎo)體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列,封裝:12-PowerWDFN
技術(shù)參數(shù):MOSFET 2N-CH 30V 19A/17A 12POWER
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參數(shù)詳情:
制造商產(chǎn)品型號:FDMD8900制造商:ON Semiconductor(安森美半導(dǎo)體)描述:MOSFET 2N-CH 30V 19A/17A 12POWER系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列產(chǎn)品系列:-零件狀態(tài):有源FET類型:2 N-通道(雙)FET功能:標(biāo)準(zhǔn)漏源電壓(Vdss):30V25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id):19A,17A不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):4 毫歐 @ 19A,10V不同Id時(shí)Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):35nC @ 10V不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)(最大值):2605pF @ 15V功率-最大值:2.1W工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)安裝類型:表面貼裝型封裝:12-PowerWDFNFDMD8900的訂貨細(xì)節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量,歡迎跟我們的銷售代表確認(rèn)。
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