FDMS001N025DSD
制造廠商:安森美半導(dǎo)體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列,封裝:8-PowerWDFN
技術(shù)參數(shù):MOSFET 2N-CH 25V 8PQFN
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參數(shù)詳情:
制造商產(chǎn)品型號:FDMS001N025DSD制造商:ON Semiconductor(安森美半導(dǎo)體)描述:MOSFET 2N-CH 25V 8PQFN系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列產(chǎn)品系列:PowerTrench?零件狀態(tài):有源FET類型:2 N 溝道(雙)非對稱型FET功能:標(biāo)準(zhǔn)漏源電壓(Vdss):25V25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id):19A(Ta),69A(Tc),38A(Ta),165A(Tc)不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):3.25 毫歐 @ 19A,10V,920μOhm @ 38A,10V不同Id時(shí)Vgs(th)(最大值):2.5V @ 320μA,3V @ 1mA不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):30nC,104nC @ 10V不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)(最大值):1370pF,5105pF @ 13V功率-最大值:2.1W(Ta),26W(Tc),2.3W(Ta),42W(Tc)工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)安裝類型:表面貼裝型封裝:8-PowerWDFNFDMS001N025DSD的訂貨細(xì)節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量,歡迎跟我們的銷售代表確認(rèn)。
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