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      FDP020N06B-F102
      

    4. 制造廠商：安森美半導體（英文名：ONSEMI）
      5. 

    5. 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個，器件封裝：TO-220-3
      6. 

    6. 技術參數：MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
      7. 

    7. （專注銷售安森美電子元器件，承諾原裝！現貨當天發(fā)貨！）
      8. 

    8. （您可通過電話、微信、QQ或郵件與銷售代表聯系詢價及采購）
      9. 

      參數詳情：
      

    9. 制造商產品型號：FDP020N06B-F102
    10. 制造商：ON Semiconductor（安森美半導體）
    11. 描述：MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
    12. 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
    13. 產品系列：PowerTrench?
    14. 零件狀態(tài)：有源
    15. FET類型：N 通道
    16. 技術：MOSFET（金屬氧化物）
    17. 漏源電壓（Vdss）：60V
    18. 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：120A（Tc）
    19. 驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
    20. 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：2 毫歐 @ 100A，10V
    21. 不同Id時Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250μA
    22. 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：268nC @ 10V
    23. Vgs（最大值）：±20V
    24. 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：20930pF @ 30V
    25. FET功能：-
    26. 功率耗散（最大值）：333W（Tc）
    27. 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
    28. 安裝類型：通孔
    29. 器件封裝：TO-220-3
    30. FDP020N06B-F102的訂貨細節(jié)及現貨數量，歡迎跟我們的銷售代表確認。
      31. 

      

      

      

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