FDS3670
制造廠商：安森美半導體（英文名：ONSEMI）
類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個，器件封裝：8-SOIC
技術參數(shù)：MOSFET N-CH 100V 6.3A 8SOIC
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參數(shù)詳情：
制造商產(chǎn)品型號：FDS3670制造商：ON Semiconductor（安森美半導體）描述：MOSFET N-CH 100V 6.3A 8SOIC系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個產(chǎn)品系列：PowerTrench?零件狀態(tài)：停產(chǎn)FET類型：N 通道技術：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：100V25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：6.3A（Ta）驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：32 毫歐 @ 6.3A，10V不同Id時Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：80nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：2490pF @ 50VFET功能：-功率耗散（最大值）：2.5W（Ta）工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型器件封裝：8-SOICFDS3670的訂貨細節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量，歡迎跟我們的銷售代表確認。
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