FGA50N100BNTTU
制造廠商：安森美半導(dǎo)體（英文名：ONSEMI）
類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-3P-3，SC-65-3
技術(shù)參數(shù)：IGBT 1000V 50A 156W TO3P
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參數(shù)詳情：
制造商產(chǎn)品型號：FGA50N100BNTTU制造商：ON Semiconductor（安森美半導(dǎo)體）描述：IGBT 1000V 50A 156W TO3P系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單產(chǎn)品系列：-零件狀態(tài)：停產(chǎn)IGBT類型：NPT 和溝道電壓-集射極擊穿（最大值）：1000V電流-集電極(Ic)（最大值）：50A電流-集電極脈沖(Icm)：200A不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：2.9V @ 15V，60A功率-最大值：156W開關(guān)能量：-輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)柵極電荷：257nC25°C時(shí)Td（開/關(guān)）值：34ns/243ns測試條件：600V，60A，10 歐姆，15V反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：-工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型：通孔封裝：TO-3P-3，SC-65-3FGA50N100BNTTU的訂貨細(xì)節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量，歡迎跟我們的銷售代表確認(rèn)。
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