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FGH30N120FTDTU供應商

產(chǎn)品參考圖片

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安森美（ON）產(chǎn)品標志

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FGH30N120FTDTU

制造廠商：安森美半導體（英文名：ONSEMI）

類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-247-3

技術(shù)參數(shù)：IGBT 1200V 60A 339W TO247

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參數(shù)詳情：

制造商產(chǎn)品型號：FGH30N120FTDTU

制造商：ON Semiconductor（安森美半導體）

描述：IGBT 1200V 60A 339W TO247

系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

產(chǎn)品系列：-

零件狀態(tài)：停產(chǎn)

IGBT類型：溝槽型場截止

電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V

電流-集電極(Ic)（最大值）：60A

電流-集電極脈沖(Icm)：90A

不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，30A

功率-最大值：339W

開關(guān)能量：-

輸入類型：標準

柵極電荷：208nC

25°C時Td（開/關(guān)）值：-

測試條件：-

反向恢復時間(trr)：730ns

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：通孔

封裝：TO-247-3

FGH30N120FTDTU的訂貨細節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量，歡迎跟我們的銷售代表確認。

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