FGH40T65UPD
制造廠商:安森美半導體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:TO-247-3
技術參數:IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO247-3
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參數詳情:
制造商產品型號:FGH40T65UPD制造商:ON Semiconductor(安森美半導體)描述:IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO247-3系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單產品系列:-零件狀態(tài):最後搶購IGBT類型:溝槽型場截止電壓-集射極擊穿(最大值):650V電流-集電極(Ic)(最大值):80A電流-集電極脈沖(Icm):120A不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,40A功率-最大值:268W開關能量:1.59mJ(開),580μJ(關)輸入類型:標準柵極電荷:177nC25°C時Td(開/關)值:20ns/144ns測試條件:400V,40A,7 歐姆,15V反向恢復時間(trr):43ns工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)安裝類型:通孔封裝:TO-247-3FGH40T65UPD的訂貨細節(jié)及現(xiàn)貨數量,歡迎跟我們的銷售代表確認。
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