FPF2C8P2NL07A
制造廠商：安森美半導體（英文名：ONSEMI）
類別封裝：晶體管 - IGBT - 模塊，封裝：F2 模塊
技術參數(shù)：IGBT MODULE 650V 30A 135W F2
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參數(shù)詳情：
制造商產品型號：FPF2C8P2NL07A制造商：ON Semiconductor（安森美半導體）描述：IGBT MODULE 650V 30A 135W F2系列：晶體管 - IGBT - 模塊零件狀態(tài)：停產IGBT類型：場截止配置：Three Phase電壓-集射極擊穿（最大值）：650V電流-集電極(Ic)（最大值）：30A功率-最大值：135W不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.2V @ 15V，30A電流-集電極截止（最大值）：250μA不同?Vce時輸入電容(Cies)：-輸入：標準NTC熱敏電阻：是工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型：底座安裝封裝：F2 模塊FPF2C8P2NL07A的訂貨細節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量，歡迎跟我們的銷售代表確認。
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