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      FQB11N40TM
      

    • 制造廠(chǎng)商：安森美半導(dǎo)體（英文名：ONSEMI）
      • 

    • 類(lèi)別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)，器件封裝：D2PAK（TO-263AB）
      • 

    • 技術(shù)參數(shù)：MOSFET N-CH 400V 11.4A D2PAK
      • 

    • （專(zhuān)注銷(xiāo)售安森美電子元器件，承諾原裝！現(xiàn)貨當(dāng)天發(fā)貨！）
      • 

    • （您可通過(guò)電話(huà)、微信、QQ或郵件與銷(xiāo)售代表聯(lián)系詢(xún)價(jià)及采購(gòu)）
      • 

      參數(shù)詳情：
      

    • 制造商產(chǎn)品型號(hào)：FQB11N40TM
    • 制造商：ON Semiconductor（安森美半導(dǎo)體）
    • 描述：MOSFET N-CH 400V 11.4A D2PAK
    • 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
    • 產(chǎn)品系列：-
    • 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
    • FET類(lèi)型：N 通道
    • 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
    • 漏源電壓（Vdss）：400V
    • 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：11.4A（Tc）
    • 驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
    • 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：480 毫歐 @ 5.7A，10V
    • 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA
    • 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：35nC @ 10V
    • Vgs（最大值）：±30V
    • 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：1400pF @ 25V
    • FET功能：-
    • 功率耗散（最大值）：3.13W（Ta），147W（Tc）
    • 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
    • 安裝類(lèi)型：表面貼裝型
    • 器件封裝：D2PAK（TO-263AB）
    • FQB11N40TM的訂貨細(xì)節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量，歡迎跟我們的銷(xiāo)售代表確認(rèn)。
      • 

      

      

      

      點(diǎn)擊下圖下載技術(shù)文檔
      

      FQB11N40TM的技術(shù)資料下載
      

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