FQB9N08TM
制造廠商：安森美半導(dǎo)體（英文名：ONSEMI）
類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個，器件封裝：D2PAK（TO-263AB）
技術(shù)參數(shù)：MOSFET N-CH 80V 9.3A D2PAK
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參數(shù)詳情：
制造商產(chǎn)品型號：FQB9N08TM制造商：ON Semiconductor（安森美半導(dǎo)體）描述：MOSFET N-CH 80V 9.3A D2PAK系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個產(chǎn)品系列：QFET?零件狀態(tài)：停產(chǎn)FET類型：N 通道技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：80V25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：9.3A（Tc）驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：210 毫歐 @ 4.65A，10V不同Id時Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：7.7nC @ 10VVgs（最大值）：±25V不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：250pF @ 25VFET功能：-功率耗散（最大值）：3.75W（Ta），40W（Tc）工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型器件封裝：D2PAK（TO-263AB）FQB9N08TM的訂貨細(xì)節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量，歡迎跟我們的銷售代表確認(rèn)。
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