FQD10N20LTM
制造廠商：安森美半導體（英文名：ONSEMI）
類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個，器件封裝：TO-252，（D-Pak）
技術參數(shù)：MOSFET N-CH 200V 7.6A TO252
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參數(shù)詳情：
制造商產(chǎn)品型號：FQD10N20LTM制造商：ON Semiconductor（安森美半導體）描述：MOSFET N-CH 200V 7.6A TO252系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個產(chǎn)品系列：QFET?零件狀態(tài)：有源FET類型：N 通道技術：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：200V25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：7.6A（Tc）驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：5V，10V不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：360 毫歐 @ 3.8A，10V不同Id時Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：17nC @ 5VVgs（最大值）：±20V不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：830pF @ 25VFET功能：-功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），51W（Tc）工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型器件封裝：TO-252，（D-Pak）FQD10N20LTM的訂貨細節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量，歡迎跟我們的銷售代表確認。
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