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      FQPF6N80T
    2. 制造廠商:安森美半導體(英文名:ONSEMI)
    3. 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 單個,器件封裝:TO-220F
    4. 技術參數(shù):MOSFET N-CH 800V 3.3A TO220F
    5. (專注銷售安森美電子元器件,承諾原裝!現(xiàn)貨當天發(fā)貨�。�
    6. (您可通過電話、微信、QQ或郵件與銷售代表聯(lián)系詢價及采購)
    7. 參數(shù)詳情:
    8. 制造商產(chǎn)品型號:FQPF6N80T
    9. 制造商:ON Semiconductor(安森美半導體)
    10. 描述:MOSFET N-CH 800V 3.3A TO220F
    11. 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
    12. 產(chǎn)品系列:QFET?
    13. 零件狀態(tài):有源
    14. FET類型:N 通道
    15. 技術:MOSFET(金屬氧化物)
    16. 漏源電壓(Vdss):800V
    17. 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):3.3A(Tc)
    18. 驅(qū)動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
    19. 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):1.95 歐姆 @ 1.65A,10V
    20. 不同Id時Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA
    21. 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):31nC @ 10V
    22. Vgs(最大值):±30V
    23. 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):1500pF @ 25V
    24. FET功能:-
    25. 功率耗散(最大值):51W(Tc)
    26. 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
    27. 安裝類型:通孔
    28. 器件封裝:TO-220F
    29. FQPF6N80T的訂貨細節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量,歡迎跟我們的銷售代表確認。
    30. 節(jié)約時間成本,提高采購效率,安森美官網(wǎng)(ON)授權代理
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