HGT1N30N60A4D
制造廠商:安森美半導(dǎo)體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:晶體管 - IGBT - 模塊,封裝:SOT-227-4,miniBLOC
技術(shù)參數(shù):IGBT MOD 600V 96A 255W SOT227B
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參數(shù)詳情:
制造商產(chǎn)品型號:HGT1N30N60A4D制造商:ON Semiconductor(安森美半導(dǎo)體)描述:IGBT MOD 600V 96A 255W SOT227B系列:晶體管 - IGBT - 模塊零件狀態(tài):停產(chǎn)IGBT類型:-配置:單路電壓-集射極擊穿(最大值):600V電流-集電極(Ic)(最大值):96A功率-最大值:255W不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,30A電流-集電極截止(最大值):250μA不同?Vce時輸入電容(Cies):-輸入:標(biāo)準(zhǔn)NTC熱敏電阻:無工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)安裝類型:底座安裝封裝:SOT-227-4,miniBLOCHGT1N30N60A4D的訂貨細(xì)節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量,歡迎跟我們的銷售代表確認(rèn)。
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