HGTG20N60B3D
制造廠商：安森美半導體（英文名：ONSEMI）
類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-247-3
技術參數：IGBT 600V 40A 165W TO247
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參數詳情：
制造商產品型號：HGTG20N60B3D制造商：ON Semiconductor（安森美半導體）描述：IGBT 600V 40A 165W TO247系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單產品系列：-零件狀態(tài)：不適用於新設計IGBT類型：-電壓-集射極擊穿（最大值）：600V電流-集電極(Ic)（最大值）：40A電流-集電極脈沖(Icm)：160A不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，20A功率-最大值：165W開關能量：475μJ（開），1.05mJ（關）輸入類型：標準柵極電荷：80nC25°C時Td（開/關）值：-測試條件：-反向恢復時間(trr)：55ns工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型：通孔封裝：TO-247-3HGTG20N60B3D的訂貨細節(jié)及現貨數量，歡迎跟我們的銷售代表確認。
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