HGTG30N60C3D
制造廠商:安森美半導(dǎo)體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:TO-247-3
技術(shù)參數(shù):IGBT 600V 63A TO247-3
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參數(shù)詳情:
制造商產(chǎn)品型號:HGTG30N60C3D制造商:ON Semiconductor(安森美半導(dǎo)體)描述:IGBT 600V 63A TO247-3系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單產(chǎn)品系列:-零件狀態(tài):最後搶購IGBT類型:-電壓-集射極擊穿(最大值):600V電流-集電極(Ic)(最大值):63A電流-集電極脈沖(Icm):252A不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):1.8V @ 15V,30A功率-最大值:208W開關(guān)能量:1.05mJ(開),2.5mJ(關(guān))輸入類型:標準柵極電荷:162nC25°C時Td(開/關(guān))值:-測試條件:-反向恢復(fù)時間(trr):60ns工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ)安裝類型:通孔封裝:TO-247-3HGTG30N60C3D的訂貨細節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量,歡迎跟我們的銷售代表確認。
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