HGTP3N60A4D
制造廠商：安森美半導體（英文名：ONSEMI）
類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-220-3
技術參數(shù)：IGBT 600V 17A 70W TO220AB
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參數(shù)詳情：
制造商產(chǎn)品型號：HGTP3N60A4D制造商：ON Semiconductor（安森美半導體）描述：IGBT 600V 17A 70W TO220AB系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單產(chǎn)品系列：-零件狀態(tài)：不適用於新設計IGBT類型：-電壓-集射極擊穿（最大值）：600V電流-集電極(Ic)（最大值）：17A電流-集電極脈沖(Icm)：40A不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.7V @ 15V，3A功率-最大值：70W開關能量：37μJ（開），25μJ（關）輸入類型：標準柵極電荷：21nC25°C時Td（開/關）值：6ns/73ns測試條件：390V，3A，50 歐姆，15V反向恢復時間(trr)：29ns工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型：通孔封裝：TO-220-3HGTP3N60A4D的訂貨細節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量，歡迎跟我們的銷售代表確認。
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