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ON|安森美公司|安森美產(chǎn)品型號搜索

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HGTP7N60A4D供應商

產(chǎn)品參考圖片

HGTP7N60A4D參考圖片

安森美（ON）產(chǎn)品標志

承諾原裝正品

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HGTP7N60A4D

制造廠商：安森美半導體（英文名：ONSEMI）

類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-220-3

技術(shù)參數(shù)：IGBT 600V 34A 125W TO220AB

（專注銷售安森美電子元器件，承諾原裝！現(xiàn)貨當天發(fā)貨！）

（您可通過電話、微信、QQ或郵件與銷售代表聯(lián)系詢價及采購）

參數(shù)詳情：

制造商產(chǎn)品型號：HGTP7N60A4D

制造商：ON Semiconductor（安森美半導體）

描述：IGBT 600V 34A 125W TO220AB

系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

產(chǎn)品系列：-

零件狀態(tài)：停產(chǎn)

IGBT類型：-

電壓-集射極擊穿（最大值）：600V

電流-集電極(Ic)（最大值）：34A

電流-集電極脈沖(Icm)：56A

不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.7V @ 15V，7A

功率-最大值：125W

開關能量：55μJ（開），60μJ（關）

輸入類型：標準

柵極電荷：37nC

25°C時Td（開/關）值：11ns/100ns

測試條件：390V，7A，25 歐姆，15V

反向恢復時間(trr)：34ns

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：通孔

封裝：TO-220-3

HGTP7N60A4D的訂貨細節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量，歡迎跟我們的銷售代表確認。

點擊下圖下載技術(shù)文檔

HGTP7N60A4D的技術(shù)資料下載

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