MMBFJ201_G
制造廠商:安森美半導(dǎo)體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:晶體管 - JFET,封裝:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
技術(shù)參數(shù):INTEGRATED CIRCUIT
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參數(shù)詳情:
制造商產(chǎn)品型號:MMBFJ201_G制造商:ON Semiconductor(安森美半導(dǎo)體)描述:INTEGRATED CIRCUIT系列:晶體管 - JFET零件狀態(tài):停產(chǎn)FET類型:N 通道電壓-擊穿(V(BR)GSS):40V漏源電壓(Vdss):-不同Vds(Vgs=0)時電流-漏極(Idss):200μA @ 20V漏極電流(Id)-最大值:-不同Id時電壓-截止(VGSoff):300mV @ 10nA不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):-電阻-RDS(On):-功率-最大值:350mW工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)安裝類型:表面貼裝型封裝:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3MMBFJ201_G的訂貨細(xì)節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量,歡迎跟我們的銷售代表確認(rèn)。
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