N21C21ASNDT3G
制造廠商：安森美半導(dǎo)體（英文名：ONSEMI）
類別封裝：存儲器，產(chǎn)品封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
技術(shù)參數(shù)：IC EPROM 1KBIT 1-WIRE SOT23-3
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參數(shù)詳情：
制造商產(chǎn)品型號：N21C21ASNDT3G制造商：ON Semiconductor（安森美半導(dǎo)體）描述：IC EPROM 1KBIT 1-WIRE SOT23-3產(chǎn)品系列：存儲器包裝：卷帶（TR）系列：-零件狀態(tài)：有源存儲器類型：非易失存儲器格式：EPROM技術(shù)：EPROM - OTP存儲容量：1Kb（128 x 8）存儲器接口：1-Wire?時鐘頻率：-寫周期時間-字，頁：5μs訪問時間：-電壓-供電：2.65V ~ 5.5V工作溫度：-40°C ~ 85°C（TA）安裝類型：表面貼裝型產(chǎn)品封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3N21C21ASNDT3G的訂貨細(xì)節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量，歡迎跟我們的銷售代表確認(rèn)。
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