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      產(chǎn)品參考圖片
      

      NCV57200DR2G參考圖片
      

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      聯(lián)系方式
      

      

      

      

      NCV57200DR2G
      

    • 制造廠商：安森美半導體（英文名：ONSEMI）
      • 

    • 類別封裝：電源管理IC - 柵極驅(qū)動器，產(chǎn)品封裝：8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）
      • 

    • 技術(shù)參數(shù)：ISOLATED COMPACT IGBT GATE DRIVE
      • 

    • （專注銷售安森美電子元器件，承諾原裝！現(xiàn)貨當天發(fā)貨！）
      • 

    • （您可通過電話、微信、QQ或郵件與銷售代表聯(lián)系詢價及采購）
      • 

      參數(shù)詳情：
      

    • 制造商產(chǎn)品型號：NCV57200DR2G
    • 制造商：ON Semiconductor（安森美半導體）
    • 描述：ISOLATED COMPACT IGBT GATE DRIVE
    • 產(chǎn)品系列：電源管理IC - 柵極驅(qū)動器
    • 包裝：卷帶（TR）,剪切帶（CT）
    • 系列：Automotive, AEC-Q100
    • 零件狀態(tài)：有源
    • 驅(qū)動配置：半橋
    • 通道類型：同步
    • 驅(qū)動器數(shù)：1
    • 柵極類型：IGBT
    • 電壓-供電：20V
    • 邏輯電壓?-VIL，VIH：0.9V，2.4V
    • 電流-峰值輸出（灌入，拉出）：1.9A，2.3A
    • 輸入類型：非反相
    • 高壓側(cè)電壓-最大值（自舉）：800V
    • 上升/下降時間（典型值）：13ns，8ns
    • 工作溫度：-40°C ~ 125°C（TA）
    • 安裝類型：表面貼裝型
    • 產(chǎn)品封裝：8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）
    • NCV57200DR2G的訂貨細節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量，歡迎跟我們的銷售代表確認。
      • 

      

      

      

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