NGD18N40CLBT4
制造廠商：安森美半導體（英文名：ONSEMI）
類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
技術參數(shù)：IGBT 430V 15A 115W DPAK
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參數(shù)詳情：
制造商產(chǎn)品型號：NGD18N40CLBT4制造商：ON Semiconductor（安森美半導體）描述：IGBT 430V 15A 115W DPAK系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單產(chǎn)品系列：-零件狀態(tài)：停產(chǎn)IGBT類型：-電壓-集射極擊穿（最大值）：430V電流-集電極(Ic)（最大值）：15A電流-集電極脈沖(Icm)：50A不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.5V @ 4V，15A功率-最大值：115W開關能量：-輸入類型：邏輯柵極電荷：-25°C時Td（開/關）值：-測試條件：-反向恢復時間(trr)：-工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型封裝：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63NGD18N40CLBT4的訂貨細節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量，歡迎跟我們的銷售代表確認。
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