NGD8201NT4G
制造廠商：安森美半導體（英文名：ONSEMI）
類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
技術參數(shù)：IGBT 440V 20A 125W DPAK
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參數(shù)詳情：
制造商產品型號：NGD8201NT4G制造商：ON Semiconductor（安森美半導體）描述：IGBT 440V 20A 125W DPAK系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單產品系列：-零件狀態(tài)：停產IGBT類型：-電壓-集射極擊穿（最大值）：440V電流-集電極(Ic)（最大值）：20A電流-集電極脈沖(Icm)：50A不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：1.9V @ 4.5V，20A功率-最大值：125W開關能量：-輸入類型：邏輯柵極電荷：-25°C時Td（開/關）值：-/5μs測試條件：300V，9A，1 千歐，5V反向恢復時間(trr)：-工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型封裝：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63NGD8201NT4G的訂貨細節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量，歡迎跟我們的銷售代表確認。
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