NGD8209NT4G
制造廠商:安森美半導體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:IGBT - 單路,TO-252-3,DPak
技術參數:IGBT 410V 12A 125W DPAK-3
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參數詳情:
制造商產品型號: NGD8209NT4G制造廠家名稱: ON Semiconductor功能總體簡述: IGBT 410V 12A 125W DPAK-3系列: -IGBT 類型: -電壓 - 集射極擊穿(最大值): 445V電流 - 集電極(Ic)(最大值): 12A脈沖電流 - 集電極 (Icm): 30A不同 Vge,Ic 時的 Vce(on): 2.3V @ 4.5V,10A功率 - 最大值: 94W開關能量: -輸入類型: 邏輯柵極電荷: -25°C 時 Td(開/關)值: -測試條件: -反向恢復時間(trr): -產品封裝: TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63安裝類型: 表面貼裝供應商器件封裝: DPAKNGD8209NT4G的訂貨細節(jié)及現貨數量,歡迎跟我們的銷售代表確認。
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