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      NGD8209NT4G
    • 制造廠商:安森美半導體(英文名:ONSEMI)
    • 類別封裝:IGBT - 單路,TO-252-3,DPak
    • 技術參數:IGBT 410V 12A 125W DPAK-3
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    • 參數詳情:
    • 制造商產品型號: NGD8209NT4G
    • 制造廠家名稱: ON Semiconductor
    • 功能總體簡述: IGBT 410V 12A 125W DPAK-3
    • 系列: -
    • IGBT 類型: -
    • 電壓 - 集射極擊穿(最大值): 445V
    • 電流 - 集電極(Ic)(最大值): 12A
    • 脈沖電流 - 集電極 (Icm): 30A
    • 不同 Vge,Ic 時的 Vce(on): 2.3V @ 4.5V,10A
    • 功率 - 最大值: 94W
    • 開關能量: -
    • 輸入類型: 邏輯
    • 柵極電荷: -
    • 25°C 時 Td(開/關)值: -
    • 測試條件: -
    • 反向恢復時間(trr): -
    • 產品封裝: TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
    • 安裝類型: 表面貼裝
    • 供應商器件封裝: DPAK
    • NGD8209NT4G的訂貨細節(jié)及現貨數量,歡迎跟我們的銷售代表確認。
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