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      NGTB25N120LWG
      

    4. 制造廠商：安森美半導(dǎo)體（英文名：ONSEMI）
      5. 

    5. 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-247-3
      6. 

    6. 技術(shù)參數(shù)：IGBT 1200V 50A 192W TO247-3
      7. 

    7. （專注銷售安森美電子元器件，承諾原裝！現(xiàn)貨當(dāng)天發(fā)貨�。�
      8. 

    8. （您可通過電話、微信、QQ或郵件與銷售代表聯(lián)系詢價(jià)及采購）
      9. 

      參數(shù)詳情：
      

    9. 制造商產(chǎn)品型號(hào)：NGTB25N120LWG
    10. 制造商：ON Semiconductor（安森美半導(dǎo)體）
    11. 描述：IGBT 1200V 50A 192W TO247-3
    12. 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
    13. 產(chǎn)品系列：-
    14. 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
    15. IGBT類型：溝槽型場(chǎng)截止
    16. 電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V
    17. 電流-集電極(Ic)（最大值）：50A
    18. 電流-集電極脈沖(Icm)：200A
    19. 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：2.3V @ 15V，25A
    20. 功率-最大值：192W
    21. 開關(guān)能量：3.4mJ（開），800μJ（關(guān)）
    22. 輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
    23. 柵極電荷：200nC
    24. 25°C時(shí)Td（開/關(guān)）值：89ns/235ns
    25. 測(cè)試條件：600V，25A，10 歐姆，15V
    26. 反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：-
    27. 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
    28. 安裝類型：通孔
    29. 封裝：TO-247-3
    30. NGTB25N120LWG的訂貨細(xì)節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量，歡迎跟我們的銷售代表確認(rèn)。
      31. 

      

      

      

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