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      NGTB25N120SWG
      

    • 制造廠商：安森美半導(dǎo)體（英文名：ONSEMI）
      • 

    • 類(lèi)別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-247-3
      • 

    • 技術(shù)參數(shù)：IGBT 25A 1200V TO-247
      • 

    • （專(zhuān)注銷(xiāo)售安森美電子元器件，承諾原裝！現(xiàn)貨當(dāng)天發(fā)貨！）
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    • （您可通過(guò)電話、微信、QQ或郵件與銷(xiāo)售代表聯(lián)系詢價(jià)及采購(gòu)）
      • 

      參數(shù)詳情：
      

    • 制造商產(chǎn)品型號(hào)：NGTB25N120SWG
    • 制造商：ON Semiconductor（安森美半導(dǎo)體）
    • 描述：IGBT 25A 1200V TO-247
    • 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
    • 產(chǎn)品系列：-
    • 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
    • IGBT類(lèi)型：溝道
    • 電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V
    • 電流-集電極(Ic)（最大值）：50A
    • 電流-集電極脈沖(Icm)：100A
    • 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V，25A
    • 功率-最大值：385W
    • 開(kāi)關(guān)能量：1.95mJ（開(kāi)），600μJ（關(guān)）
    • 輸入類(lèi)型：標(biāo)準(zhǔn)
    • 柵極電荷：178nC
    • 25°C時(shí)Td（開(kāi)/關(guān)）值：87ns/179ns
    • 測(cè)試條件：600V，25A，10 歐姆，15V
    • 反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：154ns
    • 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
    • 安裝類(lèi)型：通孔
    • 封裝：TO-247-3
    • NGTB25N120SWG的訂貨細(xì)節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量，歡迎跟我們的銷(xiāo)售代表確認(rèn)。
      • 

      

      

      

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