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      NGTB60N60SWG
      

    • 制造廠商：安森美半導(dǎo)體（英文名：ONSEMI）
      • 

    • 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-247-3
      • 

    • 技術(shù)參數(shù)：IGBT 600V 120A 298W TO247
      • 

    • （專注銷售安森美電子元器件，承諾原裝！現(xiàn)貨當(dāng)天發(fā)貨！）
      • 

    • （您可通過電話、微信、QQ或郵件與銷售代表聯(lián)系詢價及采購）
      • 

      參數(shù)詳情：
      

    • 制造商產(chǎn)品型號：NGTB60N60SWG
    • 制造商：ON Semiconductor（安森美半導(dǎo)體）
    • 描述：IGBT 600V 120A 298W TO247
    • 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
    • 產(chǎn)品系列：-
    • 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
    • IGBT類型：溝槽型場截止
    • 電壓-集射極擊穿（最大值）：600V
    • 電流-集電極(Ic)（最大值）：120A
    • 電流-集電極脈沖(Icm)：240A
    • 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.5V @ 15V，60A
    • 功率-最大值：298W
    • 開關(guān)能量：1.41mJ（開），600μJ（關(guān)）
    • 輸入類型：標(biāo)準
    • 柵極電荷：173nC
    • 25°C時Td（開/關(guān)）值：87ns/180ns
    • 測試條件：400V，60A，10 歐姆，15V
    • 反向恢復(fù)時間(trr)：76ns
    • 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
    • 安裝類型：通孔
    • 封裝：TO-247-3
    • NGTB60N60SWG的訂貨細節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量，歡迎跟我們的銷售代表確認。
      • 

      

      

      

      點擊下圖下載技術(shù)文檔
      

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