NGTD23T120F2SWK
制造廠商：安森美半導體（英文名：ONSEMI）
類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：模具
技術(shù)參數(shù)：IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
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參數(shù)詳情：
制造商產(chǎn)品型號：NGTD23T120F2SWK制造商：ON Semiconductor（安森美半導體）描述：IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單產(chǎn)品系列：-零件狀態(tài)：有源IGBT類型：溝槽型場截止電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V電流-集電極(Ic)（最大值）：-電流-集電極脈沖(Icm)：120A不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.2V @ 15V，25A功率-最大值：-開關(guān)能量：-輸入類型：標準柵極電荷：-25°C時Td（開/關(guān)）值：-測試條件：-反向恢復時間(trr)：-工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型封裝：模具NGTD23T120F2SWK的訂貨細節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量，歡迎跟我們的銷售代表確認。
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