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      NSM21356DW6T1G
      

    4. 制造廠商：安森美半導(dǎo)體（英文名：ONSEMI）
      5. 

    5. 類別封裝：晶體管 - 雙極（BJT）- 陣列 - 預(yù)偏置，封裝：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
      6. 

    6. 技術(shù)參數(shù)：TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT363
      7. 

    7. （專注銷售安森美電子元器件，承諾原裝！現(xiàn)貨當(dāng)天發(fā)貨�。�
      8. 

    8. （您可通過電話、微信、QQ或郵件與銷售代表聯(lián)系詢價(jià)及采購(gòu)）
      9. 

      參數(shù)詳情：
      

    9. 制造商產(chǎn)品型號(hào)：NSM21356DW6T1G
    10. 制造商：ON Semiconductor（安森美半導(dǎo)體）
    11. 描述：TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT363
    12. 系列：晶體管 - 雙極（BJT）- 陣列 - 預(yù)偏置
    13. 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
    14. 晶體管類型：1 NPN 預(yù)偏壓式，1 PNP
    15. 電流-集電極(Ic)（最大值）：100mA
    16. 電壓-集射極擊穿（最大值）：50V，65V
    17. 電阻器-基極(R1)：47 千歐
    18. 電阻器-發(fā)射極(R2)：47 千歐
    19. 不同?Ic、Vce?時(shí)DC電流增益(hFE)（最小值）：80 @ 5mA，10V / 220 @ 2mA，5V
    20. 不同?Ib、Ic時(shí)?Vce飽和壓降（最大值）：250mV @ 300μA，10mA / 650mV @ 5mA，100mA
    21. 電流-集電極截止（最大值）：500nA
    22. 頻率-躍遷：-
    23. 功率-最大值：230mW
    24. 安裝類型：表面貼裝型
    25. 封裝：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
    26. NSM21356DW6T1G的訂貨細(xì)節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量，歡迎跟我們的銷售代表確認(rèn)。
      27. 

      

      

      

      點(diǎn)擊下圖下載技術(shù)文檔
      

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