NTBV5605T4G
制造廠商：安森美半導體（英文名：ONSEMI）
類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個，器件封裝：D2PAK
技術參數：MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK
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參數詳情：
制造商產品型號：NTBV5605T4G制造商：ON Semiconductor（安森美半導體）描述：MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個產品系列：*零件狀態(tài)：停產FET類型：P 通道技術：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：60V25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：18.5A（Ta）驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：5V不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：140 毫歐 @ 8.5A，5V不同Id時Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：22nC @ 5VVgs（最大值）：±20V不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：1190pF @ 25VFET功能：-功率耗散（最大值）：88W（Tc）工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型器件封裝：D2PAKNTBV5605T4G的訂貨細節(jié)及現貨數量，歡迎跟我們的銷售代表確認。
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