NTH4L080N120SC1
制造廠商：安森美半導(dǎo)體（英文名：ONSEMI）
類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)，器件封裝：TO-247-4
技術(shù)參數(shù)：TRANS SJT N-CH 1200V 29A TO247-4
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參數(shù)詳情：
制造商產(chǎn)品型號：NTH4L080N120SC1制造商：ON Semiconductor（安森美半導(dǎo)體）描述：TRANS SJT N-CH 1200V 29A TO247-4系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)產(chǎn)品系列：-零件狀態(tài)：有源FET類型：N 通道技術(shù)：SiC（碳化硅結(jié)晶體管）漏源電壓（Vdss）：1200V25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：29A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：20V不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：110 毫歐 @ 20A，20V不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：4.3V @ 5mA不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：56nC @ 20VVgs（最大值）：+25V，-15V不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：1670pF @ 800VFET功能：-功率耗散（最大值）：170W（Tc）工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型：通孔器件封裝：TO-247-4NTH4L080N120SC1的訂貨細(xì)節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量，歡迎跟我們的銷售代表確認(rèn)。
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