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      NTLJD3181PZTBG
      

    • 制造廠商：安森美半導體（英文名：ONSEMI）
      • 

    • 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：6-WDFN
      • 

    • 技術(shù)參數(shù)：MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6WDFN
      • 

    • （專注銷售安森美電子元器件，承諾原裝！現(xiàn)貨當天發(fā)貨！）
      • 

    • （您可通過電話、微信、QQ或郵件與銷售代表聯(lián)系詢價及采購）
      • 

      參數(shù)詳情：
      

    • 制造商產(chǎn)品型號：NTLJD3181PZTBG
    • 制造商：ON Semiconductor（安森美半導體）
    • 描述：MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6WDFN
    • 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
    • 產(chǎn)品系列：-
    • 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
    • FET類型：2 個 P 溝道（雙）
    • FET功能：邏輯電平門
    • 漏源電壓（Vdss）：20V
    • 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：2.2A
    • 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：100 毫歐 @ 2A，4.5V
    • 不同Id時Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA
    • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：7.8nC @ 4.5V
    • 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：450pF @ 10V
    • 功率-最大值：710mW
    • 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
    • 安裝類型：表面貼裝型
    • 封裝：6-WDFN
    • NTLJD3181PZTBG的訂貨細節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量，歡迎跟我們的銷售代表確認。
      • 

      

      

      

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