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      NTLTD7900ZR2G
      

    4. 制造廠商：安森美半導(dǎo)體（英文名：ONSEMI）
      5. 

    5. 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：8-VDFN
      6. 

    6. 技術(shù)參數(shù)：MOSFET 2N-CH 20V 6A 8MICRO
      7. 

    7. （專注銷售安森美電子元器件，承諾原裝！現(xiàn)貨當(dāng)天發(fā)貨！）
      8. 

    8. （您可通過電話、微信、QQ或郵件與銷售代表聯(lián)系詢價及采購）
      9. 

      參數(shù)詳情：
      

    9. 制造商產(chǎn)品型號：NTLTD7900ZR2G
    10. 制造商：ON Semiconductor（安森美半導(dǎo)體）
    11. 描述：MOSFET 2N-CH 20V 6A 8MICRO
    12. 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
    13. 產(chǎn)品系列：-
    14. 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
    15. FET類型：2 N-通道（雙）
    16. FET功能：邏輯電平門
    17. 漏源電壓（Vdss）：20V
    18. 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：6A
    19. 不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：26 毫歐 @ 6.5A，4.5V
    20. 不同Id時Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA
    21. 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：18nC @ 4.5V
    22. 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：15pF @ 16V
    23. 功率-最大值：1.5W
    24. 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
    25. 安裝類型：表面貼裝型
    26. 封裝：8-VDFN
    27. NTLTD7900ZR2G的訂貨細節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量，歡迎跟我們的銷售代表確認。
      28. 

      

      

      

      點擊下圖下載技術(shù)文檔
      

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