NVMFD5C680NLT1G
制造廠商：安森美半導體（英文名：ONSEMI）
類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：8-PowerTDFN
技術(shù)參數(shù)：MOSFET 2N-CH 60V 26A S08FL
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參數(shù)詳情：
制造商產(chǎn)品型號：NVMFD5C680NLT1G制造商：ON Semiconductor（安森美半導體）描述：MOSFET 2N-CH 60V 26A S08FL系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列產(chǎn)品系列：Automotive, AEC-Q101零件狀態(tài)：有源FET類型：2 N-通道（雙）FET功能：標準漏源電壓（Vdss）：60V25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：7.5A（Ta），26A（Tc）不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：28 毫歐 @ 5A，10V不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 13μA不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：2nC @ 4.5V不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：350pF @ 25V功率-最大值：3W（Ta），19W（Tc）工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型封裝：8-PowerTDFNNVMFD5C680NLT1G的訂貨細節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量，歡迎跟我們的銷售代表確認。
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