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      ON安森美，安森美半導(dǎo)體，安森美代理商
      

      

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      NVMFS4C01NT3G
      

    4. 制造廠商：安森美半導(dǎo)體（英文名：ONSEMI）
      5. 

    5. 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)，器件封裝：5-DFN（5x6）（8-SOFL）
      6. 

    6. 技術(shù)參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 49A/319A 5DFN
      7. 

    7. （專注銷售安森美電子元器件，承諾原裝！現(xiàn)貨當(dāng)天發(fā)貨�。�
      8. 

    8. （您可通過(guò)電話、微信、QQ或郵件與銷售代表聯(lián)系詢價(jià)及采購(gòu)）
      9. 

      參數(shù)詳情：
      

    9. 制造商產(chǎn)品型號(hào)：NVMFS4C01NT3G
    10. 制造商：ON Semiconductor（安森美半導(dǎo)體）
    11. 描述：MOSFET N-CH 30V 49A/319A 5DFN
    12. 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
    13. 產(chǎn)品系列：-
    14. 零件狀態(tài)：不適用於新設(shè)計(jì)
    15. FET類型：N 通道
    16. 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
    17. 漏源電壓（Vdss）：30V
    18. 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：49A（Ta），319A（Tc）
    19. 驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
    20. 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：0.9 毫歐 @ 30A，10V
    21. 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250μA
    22. 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：139nC @ 10V
    23. Vgs（最大值）：±20V
    24. 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：10144pF @ 15V
    25. FET功能：-
    26. 功率耗散（最大值）：3.84W（Ta），161W（Tc）
    27. 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
    28. 安裝類型：表面貼裝型
    29. 器件封裝：5-DFN（5x6）（8-SOFL）
    30. NVMFS4C01NT3G的訂貨細(xì)節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量，歡迎跟我們的銷售代表確認(rèn)。
      31. 

      

      

      

      點(diǎn)擊下圖下載技術(shù)文檔
      

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