NVMFS6H800NWFT1G
制造廠商：安森美半導體（英文名：ONSEMI）
類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個，器件封裝：5-DFN（5x6）（8-SOFL）
技術參數：MOSFET N-CH 80V 28A/203A 5DFN
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參數詳情：
制造商產品型號：NVMFS6H800NWFT1G制造商：ON Semiconductor（安森美半導體）描述：MOSFET N-CH 80V 28A/203A 5DFN系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個產品系列：Automotive, AEC-Q101零件狀態(tài)：有源FET類型：N 通道技術：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：80V25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：28A（Ta），203A（Tc）驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：2.1 毫歐 @ 50A，10V不同Id時Vgs(th)（最大值）：4V @ 330μA不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：85nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：5530pF @ 40VFET功能：-功率耗散（最大值）：3.8W（Ta），200W（Tc）工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型器件封裝：5-DFN（5x6）（8-SOFL）NVMFS6H800NWFT1G的訂貨細節(jié)及現(xiàn)貨數量，歡迎跟我們的銷售代表確認。
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