NVMSD6N303R2G
制造廠商：安森美半導(dǎo)體（英文名：ONSEMI）
類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個，器件封裝：8-SOIC
技術(shù)參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC
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參數(shù)詳情：
制造商產(chǎn)品型號：NVMSD6N303R2G制造商：ON Semiconductor（安森美半導(dǎo)體）描述：MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個產(chǎn)品系列：-零件狀態(tài)：停產(chǎn)FET類型：N 通道技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：30V25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：6A（Ta）驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：-不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：32 毫歐 @ 6A，10V不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：30nC @ 10VVgs（最大值）：-不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：950pF @ 24VFET功能：肖特基二極管（隔離式）功率耗散（最大值）：-工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型器件封裝：8-SOICNVMSD6N303R2G的訂貨細節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量，歡迎跟我們的銷售代表確認。
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