NXH100B120H3Q0STG
制造廠商:安森美半導體(英文名:ONSEMI)
類別封裝:晶體管 - IGBT - 模塊,封裝:模塊
技術參數(shù):IGBT MODULE 1200V 50A 186W PIM22
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參數(shù)詳情:
制造商產(chǎn)品型號:NXH100B120H3Q0STG制造商:ON Semiconductor(安森美半導體)描述:IGBT MODULE 1200V 50A 186W PIM22系列:晶體管 - IGBT - 模塊零件狀態(tài):有源IGBT類型:溝槽型場截止配置:2 個獨立式電壓-集射極擊穿(最大值):1200V電流-集電極(Ic)(最大值):50A功率-最大值:186W不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,50A電流-集電極截止(最大值):200μA不同?Vce時輸入電容(Cies):9.075nF @ 20V輸入:標準NTC熱敏電阻:無工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ)安裝類型:底座安裝封裝:模塊NXH100B120H3Q0STG的訂貨細節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量,歡迎跟我們的銷售代表確認。
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