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      ON安森美，安森美半導(dǎo)體，安森美代理商
      

      

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      SGW13N60UFDTM
      

    4. 制造廠商：安森美半導(dǎo)體（英文名：ONSEMI）
      5. 

    5. 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
      6. 

    6. 技術(shù)參數(shù)：IGBT 600V 13A 60W D2PAK
      7. 

    7. （專注銷售安森美電子元器件，承諾原裝！現(xiàn)貨當(dāng)天發(fā)貨�。�
      8. 

    8. （您可通過電話、微信、QQ或郵件與銷售代表聯(lián)系詢價(jià)及采購）
      9. 

      參數(shù)詳情：
      

    9. 制造商產(chǎn)品型號：SGW13N60UFDTM
    10. 制造商：ON Semiconductor（安森美半導(dǎo)體）
    11. 描述：IGBT 600V 13A 60W D2PAK
    12. 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
    13. 產(chǎn)品系列：-
    14. 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
    15. IGBT類型：-
    16. 電壓-集射極擊穿（最大值）：600V
    17. 電流-集電極(Ic)（最大值）：13A
    18. 電流-集電極脈沖(Icm)：52A
    19. 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：2.6V @ 15V，6.5A
    20. 功率-最大值：60W
    21. 開關(guān)能量：85μJ（開），95μJ（關(guān)）
    22. 輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
    23. 柵極電荷：25nC
    24. 25°C時(shí)Td（開/關(guān)）值：20ns/70ns
    25. 測試條件：300V，6.5A，50 歐姆，15V
    26. 反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：55ns
    27. 工作溫度：-
    28. 安裝類型：表面貼裝型
    29. 封裝：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
    30. SGW13N60UFDTM的訂貨細(xì)節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量，歡迎跟我們的銷售代表確認(rèn)。
      31. 

      

      

      

      點(diǎn)擊下圖下載技術(shù)文檔
      

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