SGW5N60RUFDTM
制造廠商：安森美半導(dǎo)體（英文名：ONSEMI）
類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
技術(shù)參數(shù)：IGBT 600V 8A 60W D2PAK
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參數(shù)詳情：
制造商產(chǎn)品型號：SGW5N60RUFDTM制造商：ON Semiconductor（安森美半導(dǎo)體）描述：IGBT 600V 8A 60W D2PAK系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單產(chǎn)品系列：-零件狀態(tài)：停產(chǎn)IGBT類型：-電壓-集射極擊穿（最大值）：600V電流-集電極(Ic)（最大值）：8A電流-集電極脈沖(Icm)：15A不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.8V @ 15V，5A功率-最大值：60W開關(guān)能量：88μJ（開），107μJ（關(guān)）輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)柵極電荷：16nC25°C時Td（開/關(guān)）值：13ns/34ns測試條件：300V，5A，40 歐姆，15V反向恢復(fù)時間(trr)：55ns工作溫度：-安裝類型：表面貼裝型封裝：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263ABSGW5N60RUFDTM的訂貨細(xì)節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量，歡迎跟我們的銷售代表確認(rèn)。
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